NGB8207ABNT4G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NGB8207ABNT4G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - igbts - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NGB8207ABNT4G PDF

Доступность

В наличии	31 696
Цена за единицу товара	$ 0.62000

NGB8207ABNT4G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NGB8207ABNT4G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	365 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	20 A
ток - коллектор импульсный (icm):	50 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.2V @ 3.7V, 10A
мощность - макс.:	165 W
переключение энергии:	-
тип ввода:	Logic
заряд ворот:	-
td (вкл./выкл.) при 25°C:	-
условия испытаний:	-
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
пакет устройств поставщика:	D2PAK

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.