NTMFS4H02NT1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NTMFS4H02NT1G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NTMFS4H02NT1G PDF

Доступность

В наличии	6 000
Цена за единицу товара	$ 1.96000

NTMFS4H02NT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTMFS4H02NT1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	37A (Ta), 193A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	38.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2.651 pF @ 12 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.13W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.