IMBG120R030M1HXTMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IMBG120R030M1HXTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IMBG120R030M1HXTMA1 PDF

Доступность

В наличии	188 625
Цена за единицу товара	$ 28.34000

IMBG120R030M1HXTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMBG120R030M1HXTMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	CoolSiC™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1.2 kV
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	56A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	41mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 11.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+18V, -15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2.29 nF @ 800 V
Фет-функция:	Standard
рассеиваемая мощность (макс.):	300W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7-12
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.