BSS84XHZGG2CR

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSS84XHZGG2CR
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSS84XHZGG2CR PDF

Доступность

В наличии	235 765
Цена за единицу товара	$ 0.53000

BSS84XHZGG2CR Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSS84XHZGG2CR Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	230mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 100µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	34 pF @ 30 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DFN1010-3W
упаковка / чехол:	3-XFDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.