SCTW35N65G2VAG

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SCTW35N65G2VAG
Производитель	STMicroelectronics
Описание	SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SCTW35N65G2VAG PDF

Доступность

В наличии	492
Цена за единицу товара	$ 14.67000

SCTW35N65G2VAG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCTW35N65G2VAG Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	45A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	18V, 20V
rds on (max) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	73 nC @ 20 V
ВГС (макс.):	+22V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1370 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	240W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 200°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	HiP247™
упаковка / чехол:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.