BSM180C12P2E202

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSM180C12P2E202
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	4
Цена за единицу товара	$ 600.00000

BSM180C12P2E202 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM180C12P2E202 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	204A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 35.2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	+22V, -6V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	20000 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1360W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
пакет устройств поставщика:	Module
упаковка / чехол:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.