IPB067N08N3GATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IPB067N08N3GATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IPB067N08N3GATMA1 PDF

Доступность

В наличии	3 710
Цена за единицу товара	$ 2.41000

IPB067N08N3GATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPB067N08N3GATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 73µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3840 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	136W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.