G3R350MT12J

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	G3R350MT12J
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Описание	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	G3R350MT12J PDF

Доступность

В наличии	664
Цена за единицу товара	$ 5.90000

G3R350MT12J Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

G3R350MT12J Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	G3R™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V
rds on (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.69V @ 2mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 15 V
ВГС (макс.):	±15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	334 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	75W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.