IMW120R090M1HXKSA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IMW120R090M1HXKSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IMW120R090M1HXKSA1 PDF

Доступность

В наличии	202
Цена за единицу товара	$ 11.04000

IMW120R090M1HXKSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMW120R090M1HXKSA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	CoolSiC™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1.2 kV
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	26A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	15V, 18V
rds on (max) @ id, vgs:	117mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 3.7mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+23V, -7V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	707 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	115W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO247-3-41
упаковка / чехол:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.