APTM120DA30CT1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	APTM120DA30CT1G
Производитель	Roving Networks / Microchip Technology
Описание	MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	APTM120DA30CT1G PDF

Доступность

В наличии	208 547
Цена за единицу товара	$ 64.83000

APTM120DA30CT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

APTM120DA30CT1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	POWER MOS 8™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	31A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	560 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	14560 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	657W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
пакет устройств поставщика:	SP1
упаковка / чехол:	SP1

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.