CSD23202W10T

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	CSD23202W10T
Производитель	Texas Instruments
Описание	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	18 785
Цена за единицу товара	$ 0.48000

CSD23202W10T Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

CSD23202W10T Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	NexFET™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	2.2A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	53mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	900mV @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	3.8 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	-6V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	512 pF @ 6 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-DSBGA (1x1)
упаковка / чехол:	4-UFBGA, DSBGA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.