SIDR668DP-T1-GE3

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SIDR668DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Описание	MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SIDR668DP-T1-GE3 PDF

Доступность

В наличии	44
Цена за единицу товара	$ 3.07000

SIDR668DP-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIDR668DP-T1-GE3 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	23.2A (Ta), 95A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	7.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	108 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	5400 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8DC
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.