FDZ3N513ZT

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	FDZ3N513ZT
Производитель	Rochester Electronics
Описание	MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	FDZ3N513ZT PDF

Доступность

В наличии	25 469
Цена за единицу товара	$ 0.32000

FDZ3N513ZT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FDZ3N513ZT Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.1A
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	+5.5V, -300mV
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	85 pF @ 15 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-WLCSP (1x1)
упаковка / чехол:	4-XFBGA, WLCSP

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.