SI8481DB-T1-E1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SI8481DB-T1-E1
Производитель	Vishay / Siliconix
Описание	MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SI8481DB-T1-E1 PDF

Доступность

В наличии	8
Цена за единицу товара	$ 0.51000

SI8481DB-T1-E1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SI8481DB-T1-E1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchFET® Gen III
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.7A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	900mV @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	47 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2500 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.8W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
упаковка / чехол:	4-UFBGA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.