IGT60R190D1SATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IGT60R190D1SATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IGT60R190D1SATMA1 PDF

Доступность

В наличии	50
Цена за единицу товара	$ 15.05000

IGT60R190D1SATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IGT60R190D1SATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	CoolGaN™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	1.6V @ 960µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	157 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	55.5W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-3
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.