IMBF170R650M1XTMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IMBF170R650M1XTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IMBF170R650M1XTMA1 PDF

Доступность

В наличии	746
Цена за единицу товара	$ 7.28000

IMBF170R650M1XTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IMBF170R650M1XTMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	CoolSiC™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1700 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	12V, 15V
rds on (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.7V @ 1.7mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 12 V
ВГС (макс.):	+20V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	422 pF @ 1000 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	88W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	-
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.