NTD4979N-35G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NTD4979N-35G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A I-PAK
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NTD4979N-35G PDF

Доступность

В наличии	267 303
Цена за единицу товара	$ 0.25000

NTD4979N-35G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTD4979N-35G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.4A (Ta), 41A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	16.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	837 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	I-PAK
упаковка / чехол:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.