TPN4R712MD,L1Q

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	TPN4R712MD,L1Q
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	TPN4R712MD,L1Q PDF

Доступность

В наличии	6 602
Цена за единицу товара	$ 0.80000

TPN4R712MD,L1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TPN4R712MD,L1Q Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	U-MOSVI
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	65 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4300 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	42W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.