IPD65R660CFDBTMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	IPD65R660CFDBTMA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	IPD65R660CFDBTMA1 PDF

Доступность

В наличии	2 500
Цена за единицу товара	$ 0.58000

IPD65R660CFDBTMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

IPD65R660CFDBTMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	CoolMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	615 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	62.5W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.