SCT3120AW7TL

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SCT3120AW7TL
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SCT3120AW7TL PDF

Доступность

В наличии	1 000
Цена за единицу товара	$ 10.91000

SCT3120AW7TL Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SCT3120AW7TL Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	21A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.6V @ 3.33mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	38 nC @ 18 V
ВГС (макс.):	+22V, -4V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 500 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	100W
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.