RQ3E100BNTB

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	RQ3E100BNTB
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	RQ3E100BNTB PDF

Доступность

В наличии	9 800
Цена за единицу товара	$ 0.41000

RQ3E100BNTB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

RQ3E100BNTB Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	10A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	10.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1100 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2W (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-HSMT (3.2x3)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.