TW070J120B,S1Q

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	TW070J120B,S1Q
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	273
Цена за единицу товара	$ 33.97000

TW070J120B,S1Q Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TW070J120B,S1Q Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	*
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiCFET (Silicon Carbide)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	5.8V @ 20mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	67 nC @ 20 V
ВГС (макс.):	±25V, -10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 800 V
Фет-функция:	Standard
рассеиваемая мощность (макс.):	272W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3P(N)
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.