BSM250D17P2E004

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSM250D17P2E004
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSM250D17P2E004 PDF

Доступность

В наличии	1
Цена за единицу товара	$ 984.00000

BSM250D17P2E004 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSM250D17P2E004 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Box
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	Silicon Carbide (SiC)
напряжение сток-исток (vdss):	1700V (1.7kV)
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	250A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 66mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	30000pF @ 10V
мощность - макс.:	1800W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.