HS8K11TB

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	HS8K11TB
Производитель	ROHM Semiconductor
Описание	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	HS8K11TB PDF

Доступность

В наличии	668
Цена за единицу товара	$ 0.67000

HS8K11TB Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HS8K11TB Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7A, 11A
rds on (max) @ id, vgs:	17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11.1nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	500pF @ 15V
мощность - макс.:	2W
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-UDFN Exposed Pad
пакет устройств поставщика:	HSML3030L10

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.