NVMFD5485NLT1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NVMFD5485NLT1G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NVMFD5485NLT1G PDF

Доступность

В наличии	6 000
Цена за единицу товара	$ 0.84000

NVMFD5485NLT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NVMFD5485NLT1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	5.3A
rds on (max) @ id, vgs:	44mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	560pF @ 25V
мощность - макс.:	2.9W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN
пакет устройств поставщика:	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.