TPD3215M

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	TPD3215M
Производитель	Transphorm
Описание	GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	TPD3215M PDF

Доступность

В наличии	22
Цена за единицу товара	$ 175.13000

TPD3215M Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

TPD3215M Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	600V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	70A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	34mOhm @ 30A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2260pF @ 100V
мощность - макс.:	470W
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.