BSC750N10NDGATMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSC750N10NDGATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM,
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSC750N10NDGATMA1 PDF

Доступность

В наличии	2 624
Цена за единицу товара	$ 0.51000

BSC750N10NDGATMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSC750N10NDGATMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	100V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.2A
rds on (max) @ id, vgs:	75mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 12µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	720pF @ 50V
мощность - макс.:	26W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN
пакет устройств поставщика:	PG-TDSON-8-4

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.