EPC2101

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	EPC2101
Производитель	EPC
Описание	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	EPC2101 PDF

Доступность

В наличии	714
Цена за единицу товара	$ 7.03000

EPC2101 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2101 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	eGaN®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Half Bridge)
Фет-функция:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.5A, 38A
rds on (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
мощность - макс.:	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.