EPC2110ENGRT

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	EPC2110ENGRT
Производитель	EPC
Описание	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	EPC2110ENGRT PDF

Доступность

В наличии	261 187
Цена за единицу товара	$ 2.37000

EPC2110ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

EPC2110ENGRT Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	eGaN®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual) Common Source
Фет-функция:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	120V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.4A
rds on (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 700µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.8nC @ 5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	80pF @ 60V
мощность - макс.:	-
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	Die
пакет устройств поставщика:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.