BSO615CGHUMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	BSO615CGHUMA1
Производитель	Rochester Electronics
Описание	PFET, 3.1A I(D), 60V, 0.11OHM, 2
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	BSO615CGHUMA1 PDF

Доступность

В наличии	6 253
Цена за единицу товара	$ 0.27000

BSO615CGHUMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

BSO615CGHUMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	SIPMOS®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Logic Level Gate
напряжение сток-исток (vdss):	60V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.1A (Ta), 2A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 20µA, 2V @ 450µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	22.5nC, 20nC @ 10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	380pF, 460pF @ 25V
мощность - макс.:	2W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
пакет устройств поставщика:	PG-DSO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.