FF8MR12W2M1B11BOMA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF

Доступность

В наличии	45
Цена за единицу товара	$ 248.29000

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	CoolSiC™+
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual)
Фет-функция:	Silicon Carbide (SiC)
напряжение сток-исток (vdss):	1200V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	150A (Tj)
rds on (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (макс.) @ id:	5.55V @ 60mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	372nC @ 15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	11000pF @ 800V
мощность - макс.:	20mW (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	AG-EASY2BM-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.