SIZ998DT-T1-GE3

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	SIZ998DT-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Описание	MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	SIZ998DT-T1-GE3 PDF

Доступность

В наличии	8 473
Цена за единицу товара	$ 1.62000

SIZ998DT-T1-GE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

SIZ998DT-T1-GE3 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	2 N-Channel (Dual), Schottky
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	30V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A (Tc), 60A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
мощность - макс.:	20.2W, 32.9W
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	8-PowerWDFN
пакет устройств поставщика:	8-PowerPair®

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.