NTJD1155LT1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NTJD1155LT1G
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - полевые транзисторы, мосфеты - массивы
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NTJD1155LT1G PDF

Доступность

В наличии	782 590
Цена за единицу товара	$ 0.44000

NTJD1155LT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NTJD1155LT1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N and P-Channel
Фет-функция:	Standard
напряжение сток-исток (vdss):	8V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.3A
rds on (max) @ id, vgs:	175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
мощность - макс.:	400mW
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет устройств поставщика:	SC-88/SC70-6/SOT-363

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.