FF200R12KE3B2HOSA1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	FF200R12KE3B2HOSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Описание	IGBT MOD 1200V 295A 1050W
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	63 379
Цена за единицу товара	$ 136.81500

FF200R12KE3B2HOSA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF200R12KE3B2HOSA1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Half Bridge
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	295 A
мощность - макс.:	1050 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.15V @ 15V, 200A
ток - отсечка коллектора (макс.):	5 mA
входная емкость (cis) @ vce:	14 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	No
Рабочая Температура:	-40°C ~ 125°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.