NXH35C120L2C2ESG

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NXH35C120L2C2ESG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Описание	IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - IGBT - модули
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	168 827
Цена за единицу товара	$ 55.08000

NXH35C120L2C2ESG Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NXH35C120L2C2ESG Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Three Phase Inverter with Brake
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	35 A
мощность - макс.:	20 mW
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
ток - отсечка коллектора (макс.):	250 µA
входная емкость (cis) @ vce:	8.333 nF @ 20 V
вход:	Three Phase Bridge Rectifier
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
пакет устройств поставщика:	26-DIP

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.