A2I25H060GNR1

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	A2I25H060GNR1
Производитель	NXP Semiconductors
Описание	IC TRANS RF LDMOS
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - fets, mosfets - rf
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	A2I25H060GNR1 PDF

Доступность

В наличии	63 300
Цена за единицу товара	$ 50.10500

A2I25H060GNR1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

A2I25H060GNR1 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип транзистора:	LDMOS (Dual)
частота:	2.59GHz
прирост:	26.1dB
напряжение - тест:	28 V
номинальный ток (ампер):	-
коэффициент шума:	-
текущий - тест:	26 mA
выходная мощность:	10.5W
напряжение - номинальное:	65 V
упаковка / чехол:	TO-270-17 Variant, Gull Wing
пакет устройств поставщика:	TO-270WBG-17

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.