PD20010-E

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	PD20010-E
Производитель	STMicroelectronics
Описание	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - fets, mosfets - rf
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	PD20010-E PDF

Доступность

В наличии	126 568
Цена за единицу товара	$ 15.54000

PD20010-E Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

PD20010-E Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип транзистора:	LDMOS
частота:	2GHz
прирост:	11dB
напряжение - тест:	13.6 V
номинальный ток (ампер):	5A
коэффициент шума:	-
текущий - тест:	150 mA
выходная мощность:	10W
напряжение - номинальное:	40 V
упаковка / чехол:	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
пакет устройств поставщика:	PowerSO-10RF (Formed Lead)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.