HN3C10FUTE85LF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	HN3C10FUTE85LF
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Описание	RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Доступность

В наличии	111
Цена за единицу товара	$ 0.54000

HN3C10FUTE85LF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

HN3C10FUTE85LF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип транзистора:	2 NPN (Dual)
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	12V
частота - переход:	7GHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	1.1dB @ 1GHz
прирост:	11.5dB
мощность - макс.:	200mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	80 @ 20mA, 10V
ток - коллектор (ic) (макс.):	80mA
Рабочая Температура:	-
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
пакет устройств поставщика:	US6

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.