MMBTH10LT1G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	MMBTH10LT1G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - rf
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	MMBTH10LT1G PDF

Доступность

В наличии	2 375 455
Цена за единицу товара	$ 0.03000

MMBTH10LT1G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

MMBTH10LT1G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	25V
частота - переход:	650MHz
коэффициент шума (дБ тип @ f):	-
прирост:	-
мощность - макс.:	225mW
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	60 @ 4mA, 10V
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
пакет устройств поставщика:	SOT-23-3 (TO-236)

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.