2N6667

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	2N6667
Производитель	NTE Electronics, Inc.
Описание	T-PNP SI-GEN PUR AMP
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	2N6667 PDF

Доступность

В наличии	708
Цена за единицу товара	$ 1.56000

2N6667 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

2N6667 Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bag
статус детали:	Active
тип транзистора:	PNP - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	10 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	60 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	3V @ 100mA, 10A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1mA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	1000 @ 5A, 3V
мощность - макс.:	2 W
частота - переход:	-
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220AB

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.