NJVMJD112T4G

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	NJVMJD112T4G
Производитель	Rochester Electronics
Описание	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	NJVMJD112T4G PDF

Доступность

В наличии	41 900
Цена за единицу товара	$ 0.29000

NJVMJD112T4G Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

NJVMJD112T4G Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN - Darlington
ток - коллектор (ic) (макс.):	2 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	100 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
ток - отсечка коллектора (макс.):	20µA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
мощность - макс.:	20 W
частота - переход:	25MHz
Рабочая Температура:	-65°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	DPAK

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.