MJD3055TF

Изображение для справки, пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы получить реальную картину

Часть производителя	MJD3055TF
Производитель	Rochester Electronics
Описание	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Категория	дискретные полупроводниковые изделия
Семья	транзисторы - биполярные (bjt) - одинарные
Жизненный цикл:	New from this manufacturer.
Доставка:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Оплата	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Техническая спецификация	MJD3055TF PDF

Доступность

В наличии	43 600
Цена за единицу товара	$ 0.28000

MJD3055TF Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

MJD3055TF Технические характеристики

Тип	Описание
серии:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип транзистора:	NPN
ток - коллектор (ic) (макс.):	10 A
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	60 V
насыщенность vce (макс.) @ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
ток - отсечка коллектора (макс.):	50µA
усиление по постоянному току (hfe) (мин) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
мощность - макс.:	1.75 W
частота - переход:	2MHz
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
пакет устройств поставщика:	D-Pak

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.